一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构-bet36体育在线288

申请号：	CN201310695830.6	专利类型：	发明
首次公开日：	20140423	所在行业：	电子信息
申请日：	20131217	专利权人：
授权日：	20160420	法律效力：
摘要：	本发明公开了一种台阶形沟槽-场限环复合终端结构，在芯片的中央区域为有源区，外围区域为终端区，有源区和终端区共同的n^-衬底下方依次为n型FS层、p⁺阳极区及其阳极，FS层是指GCT的场阻止层；在有源区中，n^-基区中设置有多个并联的单元，每个单元内与n^-基区相邻的是波状p基区，p基区上面为p⁺基区，p⁺基区中央设置有一个阴极n⁺发射区，每个n⁺发射区上方设置有阴极；p⁺基区上方设置有一个门极；在终端区的n^-衬底内，设有与主结相连的两级场限环，场限环的上面有台阶状沟槽。本发明的复合终端结构可使终端击穿电压达到理想体击穿电压的95％以上。