一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法-bet36体育在线288

申请号：	CN201210111031.5	专利类型：	发明
首次公开日：	20120822	所在行业：	材料化工
申请日：	20120416	专利权人：
授权日：	20140108	法律效力：
摘要：	本发明公开了一种通过去一种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的方法来制备多孔AlN或GaN薄膜的方法。首先制备Al或Ga的合金薄膜，并在高纯氮气或高纯氨气的气氛下，在700～1000℃之间某一温度保温氮化3～10h，制备出氮化合金薄膜，然后经过酸洗，使得氮化合金薄膜中的另外一种金属的氮化物溶解在酸中，最后经过水洗干燥制得多孔AlN/GaN薄膜。利用本发明提供的方法可以低成本、高产能的制备出的多孔AlN或GaN薄膜的孔径在100～500nm范围内，相邻孔壁厚在10nm～50nm范围内、孔的比表面积在60～100m2/g，孔占薄膜的体积比约50％。