主要内容

TDR-62CP型单晶炉，是在惰性气体环境中，以石墨电阻加热器将硅材料熔化，用软轴直拉法生长无位错单晶的设备。它可以生长大规模集成电路所需要的高质量单晶。这种单晶炉能够使用12″的石英坩埚，投料20kg，拉制4″或5″的单晶，其最大裕度可允许使用14″的石英坩埚，投料30kg拉制6″的单晶。采用计算机控制等径生长晶体。

性能指标

投 料 量：30kg；

晶体规格：5″；

籽晶炉内行程：2200mm；

最大功率：130kw。

使用范围及市场预测

该设备系发展大规模集成电路，生长半导体材料的关键设备。现主要依靠进口硅单片，若大部分或全部采用国产设备以年需15台是可行的。

投产条件及效益分析

该设备系集机械、电器、仪表、涉及真空密封、高温等领域，故要求有较强的机加工能力和技术水平较高的机、电人员进行生产。现售价65万元/台，利润率10～15％左右。

服务方式

  生产定型产品并外售。