主要内容

TDR—GY652型高压单晶炉室在惰性保护气体--氩气高压条件下，采用石墨电阻加热方式，将GaAs、InP等材料合成熔化，已LEC法从熔体中拉制大直径(4"～6") GaAs、InP单晶的专用设备。

技术水平

TDR-GY652型高压单晶炉是目前国际上最大的GaAs、InP单晶制备设备，具有先进的上称重计算机自动控制直径功能、加热温度自动控制功能、各种安全自动保护功能，具备三段加热能力，可满足生长6" GaAs单晶的能力。综合性能达到了国际先进国内领先水平，具有自主的知识产权。

主要技术参数

熔料量                                 40kg

晶体直径                         6"

加热功率                        120×55×35kW

最高加热温度                               1600℃

主炉室尺寸                               φ652×1000mm

冷炉极限真空度                            1Pa

充气压力                         10MPa

市场前景

目前，国内市场上还没有具备生长6" GaAs单晶能力的高压单晶生长设备，TDR—GY652型高压单晶炉的开发成功填补了国内空白，满足了市场的需求。预计近几年市场需求量在200台左右。

服务方式

  出售产品、其它形式的合作面议。